集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出,中国存储器产业目前以投入NAND Flash市场的长江存储、专注于行动式内存的合肥长鑫,以及晋华集成三大阵营为主。以目前三家厂商的进度来看,其试产时间预计将在2018年下半年。由于三大阵营量产的时间可能皆落在2019年上半年,因此,2019年或将成为中国存储器生产元年。
DRAMeXchange指出,从三大厂目前布局进度来看,合肥长鑫的厂房已于去年6月封顶完工,去年第三季度开始移入测试用机台。合肥长鑫目前进度与晋华集成差别不大,试产时间将会落于今年第三季度,量产时间则暂定在2019年的上半年,较预期落后。此外,由于合肥长鑫直攻三大DRAM厂最重要产品之一的LPDDR4 8Gb,后期面临专利争议的可能性也较高,为了避免这一状况,除了积极累积专利权外,中国销售市场在初期的重要性也不能忽视。
反观晋华集成,在2016年7月宣布在福建省晋江市建12英寸厂,投资金额约53亿美元,以目前进度来看,其内存的试产延后至今年第三季度,量产也将始于明年上半年。
此外,从中国厂商NAND Flash的发展进程来看,2016年12月底,由长江存储主导的国家存储器基地正式动土,官方预期分三阶段,共建立三座3D—NAND Flash厂房。第一阶段厂房已于去年9月完成兴建,预定2018年第三季开始移入机台,并于第四季进行试产,初期投片不超过1万片,用于生产32层3D—NAND Flash产品,并预计在64层技术成熟后,拟定第二、三期生产计划。
集邦咨询半导体研究中心指出,根据中国存储器厂商的研发与产出计划,2019年将是中国存储器产业的生产元年,但也由于两家DRAM厂预估初期量产规模不大,短期尚不会撼动全球市场现有格局。
转自:中国电子报
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